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全球最小的DRAM晶片!三星第二代10奈米晶片,速度提升10


全球最小的DRAM晶片!三星第二代10奈米晶片,速度提升10
A 4GB DRAM memory chip developed by South Korea's Samsung Electronics is seen in this picture released February 8, 2001. The 4GB memory chip can store data equivalent to 640 books, 32,000 standard newspaper pages, and 1,600 still pictures or 64 hours of sound, Samsung Electronics said. The company plans to start a volume production of the memory chips in 2004 when the market is ready for the high-capacity memory chip.LJW/DL - RP2DRIGSTSAA

路透社报导称,三星电子表示已开发出全球最小的动态随机存取记忆体晶片,较竞争对手的技术领先优势扩大。

三星电子称使用第二代 10 奈米级工艺生产出了 8Gb DDR4 晶片,第二代 10 奈米级晶片比第一代晶片快 10%,功耗降低 15%。

受半导体业务带动,该公司今年营业利润料创下纪录高点。三星在声明中称,「第二代」10 奈米级 8Gb DRAM 晶片的功耗和数据处理性能均改善,将用于云端计算中心、行动设备和高速显卡等高阶数据处理电子产品。

三星称,将在 2018 年把多数现有 DRAM 生产转为 10 奈米级晶片。该公司在电脑晶片、电视和智慧手机产业全球领先。

三星电子记忆晶片部门总裁 Gyoyoung Jin 称,这一「积极的」生产扩张,将「适应市场的旺盛需求。」

三星电子在 10 月底任命了半导体等三个主要业务部门新一代主管后,称眼前不会寻求扩大晶片出货,但着重于投资,以维护长期市场地位。



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